（原標(biāo)題：這項新發(fā)現(xiàn)世博官方體育app下載，有望兌現(xiàn)有儲本領(lǐng)飛躍）
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科學(xué)家們可能無意地克服了告成遴選下一代數(shù)據(jù)存儲本領(lǐng)的要緊貶抑。
詢查東談主員暗示，他們駕馭一種名為硒化銦 (In2Se3) 的特有材料，發(fā)現(xiàn)了一種裁汰相變存儲器(PCM)能量需求的本領(lǐng)，相變存儲器是一種無需恒定電源即可存儲數(shù)據(jù)的本領(lǐng)，其能量需求最高可裁汰 10 億倍。
詢查東談主員在 11 月 6 日發(fā)表在《當(dāng)然》雜志上的一項詢查中暗示，這一沖破朝著克服 PCM 數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域的最大挑戰(zhàn)之一邁出了一步，可能為低功耗存儲豎立和電子產(chǎn)物鋪平談路。
PCM 是通用內(nèi)存的首選——打算內(nèi)存，既不錯替代隨即存取存儲器 (RAM) 等短期內(nèi)存，也不錯替代固態(tài)硬盤 (SSD) 或硬盤等存儲豎立。RAM 速率很快，但需要廣寬物理空間和恒定電源智商啟動，而 SSD 或硬盤的密度要大得多，不錯在打算機關(guān)閉時存儲數(shù)據(jù)。通用內(nèi)存說合了兩者的優(yōu)點。
它的責(zé)任旨趣是讓材料在兩種現(xiàn)象之間切換：晶體（原子整王人陳列）和非晶體（原子隨即陳列）。這些現(xiàn)象與二進制 1 和 0 相關(guān)，通過現(xiàn)象切換對數(shù)據(jù)進行編碼。
但是，用于切換這些現(xiàn)象的“熔融淬火本領(lǐng)”——觸及加熱和快速冷卻 PCM 材料——需要廣寬動力，這使得該本領(lǐng)資本昂貴且難以邊界化。在他們的詢查中，詢查東談主員找到了一種十足繞過熔融淬火流程的措施，即通過電荷統(tǒng)一非晶化。這大大裁汰了 PCM 的動力需求，并可能為更平庸的交易應(yīng)用開放大門。
賓夕法尼亞大學(xué)工程學(xué)院材料科學(xué)與工程詮釋注解、這項詢查的作家Ritesh Agarwal在一份聲明中暗示：“相變存儲豎立尚未獲得平庸應(yīng)用的原因之一是所需的能量?！彼f，這些發(fā)現(xiàn)關(guān)于瞎想低功耗存儲豎立的后勁是“廣大的”。
詢查東談主員的發(fā)現(xiàn)取決于硒化銦的特有性質(zhì)，這是一種兼具“鐵電”和“壓電”特質(zhì)的半導(dǎo)體材料。鐵電材料不錯自覺極化，這意味著它們不錯在不需要外部電荷的情況下產(chǎn)生里面電場。比較之下，壓電材料在戰(zhàn)役電荷時會發(fā)生物理變形。
在測試這種材料時，詢查東談主員發(fā)現(xiàn)，當(dāng)材料透露在銜接電流下時，其部分會非晶化。更蹙迫的是，這是十足有時發(fā)生的。
“我其時簡直觀得我可能損壞了電線，”這項詢查的共同作家、賓夕法尼亞大學(xué)工程學(xué)院材料科學(xué)與工程專科的前博士生Gaurav Modi在聲明中說談?！敖?jīng)常情況下，你需要電脈沖來激發(fā)任何類型的非晶化，而這里銜接的電流破碎了晶體結(jié)構(gòu)，這是不應(yīng)該發(fā)生的。”
進一步分析發(fā)現(xiàn)，半導(dǎo)體的特質(zhì)會激發(fā)四百四病。率先，電流會引起材料發(fā)生輕微變形，從而激發(fā)“聲學(xué)漣漪”——一種肖似于地震時分的聲波。然后，這種聲波穿過材料，將非晶化擴散到微米級區(qū)域，詢查東談主員將其比作雪崩蘊蓄動量的機制。
詢查東談主員解釋稱，硒化銦的多種特質(zhì)（包括其二維結(jié)構(gòu)、鐵電性和壓電性）共同作用，使沖擊激發(fā)的非晶化流程約略以超死板量兌現(xiàn)。他們在詢查中寫談，這可能為改日圍繞“低功耗電子和光子應(yīng)用的新材料和豎立”的詢查奠定基礎(chǔ)。
阿加瓦爾在聲明中暗示：“這為詢查當(dāng)所有這些特質(zhì)說合在一齊時材料中可能發(fā)生的結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)念開荒了一個新領(lǐng)域?！?/p>
https://www.livescience.com/technology/computing/accidental-discovery-creates-candidate-for-universal-memory-a-weird-semiconductor-that-consumes-a-billion-times-less-power
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